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國(guó)產(chǎn)企業(yè)光刻技術(shù)已取得突破。泰晶科技從2011年開始布局光刻工藝研發(fā)，2014年組建了國(guó)內(nèi)同行業(yè)很早一家微納米晶體加工技術(shù)重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室，以激光調(diào)頻和光刻技術(shù)為基礎(chǔ)，加強(qiáng)MEMS技術(shù)在晶體諧振器產(chǎn)品的應(yīng)用。目前公司已經(jīng)取得了微型晶體諧振器生產(chǎn)的重要技術(shù)研究成果，成功使用雙面光刻工藝，將超過(guò)3000顆的“1610”型號(hào)晶體諧振器集成至3寸的WAFER片上。微電子機(jī)械系統(tǒng)（MEMS）技術(shù)的有效應(yīng)用為石英晶體的加工提供了技術(shù)借鑒和啟發(fā)。MEMS技術(shù)利用IC加工技術(shù)實(shí)現(xiàn)微納米尺度加工，在加工精度、加工手段、EDA(計(jì)算機(jī)輔助設(shè)計(jì))等方面具有先天優(yōu)勢(shì)，因此石英晶體技術(shù)與MEMS技術(shù)的結(jié)合成為必然趨勢(shì)。全球晶振市場(chǎng)集中于日本、中國(guó)臺(tái)灣、美國(guó)以及中國(guó)大陸。廣東時(shí)鐘與晶振

溫度補(bǔ)償晶體振蕩器(TCXO)如果固有頻率與石英晶體的溫度穩(wěn)定度無(wú)法滿足應(yīng)用要求，就可以采用溫度補(bǔ)償單元。TCXO使用溫度感測(cè)元件以及產(chǎn)生電壓曲線的電路，在整個(gè)溫度范圍內(nèi)，該電壓曲線與晶體的頻率變化趨勢(shì)完全相反，所以可理想地抵消晶體的漂移。根據(jù)TCXO的類型和溫度范圍，TCXO的典型穩(wěn)定度規(guī)范范圍為小于±0.5ppm至±5ppm。壓控晶體振蕩器(VCXO)在一些應(yīng)用中，期望能夠調(diào)諧或調(diào)整振蕩器的頻率，以便將其鎖相到鎖相環(huán)(PLL)中的參考，或可能用于調(diào)節(jié)波形。VCXO透過(guò)電子頻率控制(EFC)電壓輸入，提供了這項(xiàng)功能。對(duì)于某些特定元件，VCXO的調(diào)諧范圍規(guī)格可能在±10ppm到±100ppm(甚至更高)。廣東晶振12小型化晶振國(guó)產(chǎn)替代浪潮已至加大資本支出迎接產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)移 。

各種邏輯芯片的晶振引腳可以等效為電容三點(diǎn)式振蕩器。晶振引腳的內(nèi)部通常是一個(gè)反相器，或者是奇數(shù)個(gè)反相器串聯(lián)。在晶振輸出引腳XO和晶振輸入引腳XI之間用一個(gè)電阻連接，對(duì)于CMOS芯片通常是數(shù)M到數(shù)十M歐之間。很多芯片的引腳內(nèi)部已經(jīng)包含了這個(gè)電阻，引腳外部就不用接了。這個(gè)電阻是為了使反相器在振蕩初始時(shí)處與線性狀態(tài)，反相器就如同一個(gè)有很大增益的放大器，以便于起振。石英晶體也連接在晶振引腳的輸入和輸出之間，等效為一個(gè)并聯(lián)諧振回路，振蕩頻率應(yīng)該是石英晶體的并聯(lián)諧振頻率。晶體旁邊的兩個(gè)電容接地，實(shí)際上就是電容三點(diǎn)式電路的分壓電容，接地點(diǎn)就是分壓點(diǎn)。以接地點(diǎn)即分壓點(diǎn)為參考點(diǎn)，振蕩引腳的輸入和輸出是反相的，但從并聯(lián)諧振回路即石英晶體兩端來(lái)看，形成一個(gè)正反饋以保證電路持續(xù)振蕩。在芯片設(shè)計(jì)時(shí)，這兩個(gè)電容就已經(jīng)形成了，一般是兩個(gè)的容量相等，容量大小依工藝和版圖而不同，但終歸是比較小，不一定適合很寬的頻率范圍。外接時(shí)大約是數(shù)PF到數(shù)十PF，依頻率和石英晶體的特性而定。需要注意的是：這兩個(gè)電容串聯(lián)的值是并聯(lián)在諧振回路上的，會(huì)影響振蕩頻率。當(dāng)兩個(gè)電容量相等時(shí)，反饋系數(shù)是0.5，一般是可以滿足振蕩條件的。

有些時(shí)候C1，C2不焊也能起振，這個(gè)不是說(shuō)沒有C1，C2，而是因?yàn)樾酒_的分布電容引起的，因?yàn)楸緛?lái)這個(gè)C1，C2就不需要很大，所以這一點(diǎn)很重要。接下來(lái)分析這兩個(gè)電容對(duì)振蕩穩(wěn)定性的影響。因?yàn)?404的電壓反饋是靠C2的，假設(shè)C2過(guò)大，反饋電壓過(guò)低，這個(gè)也是不穩(wěn)定，假設(shè)C2過(guò)小，反饋電壓過(guò)高，儲(chǔ)存能量過(guò)少，容易受外界干擾，也會(huì)輻射影響外界。C1的作用對(duì)C2恰好相反。因?yàn)槲覀儾及宓臅r(shí)候，假設(shè)雙面板，比較厚的，那么分布電容的影響不是很大，假設(shè)在高密度多層板時(shí)，就需要考慮分布電容，尤其是VCO之類的振蕩電路，更應(yīng)該考慮分布電容。有些用于工控的項(xiàng)目，建議不要用晶體的方法振蕩，二是直接接一個(gè)有源的晶振很多時(shí)候大家會(huì)用到32.768K的時(shí)鐘晶體來(lái)做時(shí)鐘，而不是用單片機(jī)的晶體分頻后來(lái)做時(shí)鐘，這個(gè)原因很多人想不明白，其實(shí)這個(gè)跟晶體的穩(wěn)定度有關(guān)，頻率越高的晶體，Q值一般難以做高，頻率穩(wěn)定度不高，32.768K的晶體穩(wěn)定度等各方面都不錯(cuò)，形成了一個(gè)工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)，比較容易做高。高基頻晶振價(jià)格較普通晶振大幅增長(zhǎng)，有望迎來(lái)量?jī)r(jià)齊升。

如今的電子科技時(shí)代，我們已離不開生活中的智能產(chǎn)品，尤其是手機(jī)，在這個(gè)移動(dòng)支付的快節(jié)奏城市，也許你可以試試三天沒有手機(jī)的生活，恐怕會(huì)有諸多不便。而手機(jī)卻依賴它，一顆比米粒還要小的晶振，決定了整塊電路板的“生死”。如果它不運(yùn)作，整個(gè)系統(tǒng)就會(huì)癱瘓，在行業(yè)中被人們堪比為電路板的心臟。晶振是各板卡的“心跳”發(fā)生器，選擇好的晶振，保障線路板的經(jīng)久耐用性。然而難免會(huì)碰到晶振停振的問(wèn)題。晶振的作用就是向顯卡、網(wǎng)卡、主板等配件的各部分提供基準(zhǔn)頻率，它是時(shí)鐘電路中很重要的部件。晶振就像個(gè)標(biāo)尺，工作頻率不穩(wěn)定會(huì)造成相關(guān)設(shè)備工作頻率不穩(wěn)定，自然容易出現(xiàn)問(wèn)題。在實(shí)際應(yīng)用中，遇到晶振停振，要結(jié)合實(shí)際情況和產(chǎn)品規(guī)格。晶體通過(guò)壓電效應(yīng)產(chǎn)生特定頻率信號(hào)。江西晶振的波形

無(wú)源晶振的輸出頻率如何用示波器測(cè)量？廣東時(shí)鐘與晶振

對(duì)于時(shí)鐘晶體、時(shí)鐘電路，可以采用屏蔽措施進(jìn)行屏蔽處理。若時(shí)鐘外殼為金屬，則PCB設(shè)計(jì)時(shí)一定要在晶體下方鋪銅，并保證此部分與完整的地平面有良好的電氣連接(通過(guò)多孔接地)。5）時(shí)鐘晶體下面鋪地的好處：晶體振蕩器內(nèi)部的電路會(huì)產(chǎn)生射頻電流，如果晶體是金屬外殼封裝的，直流電源腳是直流電壓參考和晶體內(nèi)部射頻電流回路參考的依靠，通過(guò)地平面釋放外殼被射頻輻射產(chǎn)生的瞬態(tài)電流。總之，金屬外殼是一個(gè)單端天線，很近的映像層、地平面層有時(shí)兩層或者更多層做為射頻電流對(duì)地的輻射耦合作用是足夠的。晶體下鋪地對(duì)散熱也是有好處的。廣東時(shí)鐘與晶振

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