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當(dāng)晶體頻率發(fā)生頻率漂移，且超出晶體頻率偏差范圍過多時，以至于捕捉不到晶體的中心頻率，從而導(dǎo)致芯片不起振。由于芯片本身的厚度很薄，當(dāng)激勵功率過大時，會使內(nèi)部石英芯片破損，導(dǎo)致停振。在檢漏工序中，就是在酒精加壓的環(huán)境下，晶體容易產(chǎn)生碰殼現(xiàn)象，即振動時芯片跟外殼容易相碰，從而晶體容易發(fā)生時振時不振或停振。在壓封時，晶體內(nèi)部要求抽真空充氮?dú)猓绻l(fā)生壓封不良，即晶體的密封性不好時，在酒精加壓的條件下，其表現(xiàn)為漏氣，稱之為雙漏，也會導(dǎo)致停振。小型化晶振國產(chǎn)替代浪潮已至加大資本支出迎接產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)移 。甘肅晶振電路

移動終端：預(yù)計2022年國內(nèi)手機(jī)廠商對晶振需求量達(dá)35.2億顆5G帶動新一波換機(jī)需求。IDC預(yù)測，2019年全球手機(jī)出貨量為13.7億部（2019年出貨預(yù)計同比減少2.2%），而國內(nèi)手機(jī)市場占據(jù)約30%的份額。根據(jù)中國信通院數(shù)據(jù)顯示，2019年國內(nèi)手機(jī)市場總體出貨量為3.89億部，同比下降6.2%。雖然目前國內(nèi)手機(jī)行業(yè)已呈現(xiàn)飽和狀態(tài)，但2020年5G商用將帶動新一波換機(jī)需求，國內(nèi)智能手機(jī)市場有望回暖。個手機(jī)配置的晶振數(shù)量及價值不斷提升。（1）按鍵手機(jī)中石英晶振需2-3顆，分別為32.768KHZ圓柱直插晶振、49S晶振和一款5032（5.0*3.2mm）貼片晶振；（2）4G智能手機(jī)則需配置約5-6顆晶振，分別為時間顯示所用的為32.768KHz晶振,藍(lán)牙模塊上16MHz貼片晶振，數(shù)據(jù)傳輸所用的高頻圓柱直插晶振，NFC模塊中使用的13.56MHz貼片晶振，以及根據(jù)手機(jī)CPU運(yùn)行溫度進(jìn)行變更頻率的26MHz溫補(bǔ)晶振等；（4）5G手機(jī)預(yù)計要配置6-10顆晶振，優(yōu)先方案為頻率為76.8MHz或者96MHz、負(fù)載電容為8-12pf的小尺寸2.0*1.6mm晶振。單個手機(jī)配置的晶振價值量不斷提升。廣西晶振的負(fù)載日本主要晶振廠商盈利能力下降，擴(kuò)產(chǎn)意愿不強(qiáng)。

無源晶振產(chǎn)銷量在晶振市場中占較大份額。根據(jù)CS&A數(shù)據(jù)，2018年全球利用石英晶體制成的頻率元件產(chǎn)值為33億美元，其中無源產(chǎn)品產(chǎn)值為18億美元，占比為55.3%。石英晶體頻率元件年銷量180億顆，其中無源產(chǎn)品銷量為164.45億顆，占比為89.3%。根據(jù)壓電晶體行業(yè)協(xié)會（PCAC）的數(shù)據(jù)，國內(nèi)市場2016年石英及陶瓷等各類材料制成的無源晶振銷量達(dá)到185.7億顆，其中音叉晶體諧振器、微型SMD高頻晶體諧振器的銷量分別為85.1億只和100.6億只，銷售額分別為14.6億元和49.3億元。

電子制造行業(yè)市場規(guī)模巨大，部分電子產(chǎn)品新老更迭迅速，對晶振需求較大。根據(jù)CS&A預(yù)測，2019全球頻率元件產(chǎn)值為32-34億美元，頻率元件年銷量190-210億顆。晶振主要用于網(wǎng)絡(luò)設(shè)備、消費(fèi)類電子、移動終端、智慧生活、小型電子、資訊設(shè)備、汽車電子等領(lǐng)域，且不同應(yīng)用領(lǐng)域所需要的晶振數(shù)量不同。比如，大型基站所需的晶振數(shù)量超過10顆，而小型基站需要1顆溫補(bǔ)晶振。消費(fèi)類電子產(chǎn)品所需的晶振數(shù)量大約4-5顆，而工業(yè)設(shè)備、汽車對晶振的需求則為數(shù)十顆。國產(chǎn)企業(yè)突破光刻技術(shù)，推進(jìn)晶振產(chǎn)品向小型化、高精度趨勢發(fā)展。

晶振市場格局：日本領(lǐng)航，中國追趕全球石英晶體元器件廠家主要在日本、美國、中國臺灣地區(qū)及中國大陸。美國廠商主要針對美國國內(nèi)及部分專項市場，供求渠道較為穩(wěn)定，產(chǎn)品單位價值較高。日本是國際石英晶體諧振器傳統(tǒng)制造強(qiáng)國。隨著電子信息行業(yè)的飛速發(fā)展和智能應(yīng)用領(lǐng)域的多元化，日本廠商進(jìn)一步加大了技術(shù)及設(shè)備的升級速度，在中高應(yīng)用領(lǐng)域?qū)嵭辛伺潘缘南鄬夹g(shù)壟斷，具備較強(qiáng)的規(guī)模效應(yīng)和技術(shù)優(yōu)勢。2013年以后，日本廠商受到原材料和人力資源成本上升，以及全球范圍內(nèi)其他區(qū)域如中國臺灣、中國大陸等廠商產(chǎn)能擴(kuò)張等因素的影響，市場份額出現(xiàn)較大幅度下滑。日本廠商將中低端業(yè)務(wù)逐步轉(zhuǎn)移至中國，市場份額占比已經(jīng)由2011年的59.3%下降到50%以下。晶振主要由基座、晶片、封裝材料、IC構(gòu)成。江蘇有源振蕩器電路分析

我國晶振行業(yè)處于快速發(fā)展階段，未來國產(chǎn)替代化趨勢明顯。甘肅晶振電路

晶振與匹配電容的經(jīng)驗總結(jié)，匹配電容-----負(fù)載電容是指晶振要正常震蕩所需要的電容。一般外接電容，是為了使晶振兩端的等效電容等于或接近負(fù)載電容。要求高的場合還要考慮ic輸入端的對地電容。一般晶振兩端所接電容是所要求的負(fù)載電容的兩倍。這樣并聯(lián)起來就接近負(fù)載電容了。2、負(fù)載電容是指在電路中跨接晶體兩端的總的外界有效電容。他是一個測試條件，也是一個使用條件。應(yīng)用時一般在給出負(fù)載電容值附近調(diào)整可以得到精確頻率。此電容的大小主要影響負(fù)載諧振頻率和等效負(fù)載諧振電阻。3、一般情況下，增大負(fù)載電容會使振蕩頻率下降，而減小負(fù)載電容會使振蕩頻率升高。甘肅晶振電路

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