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臨時鍵合系統(tǒng)：臨時鍵合是為薄晶圓或超薄晶圓提供機械支撐的必不可少的過程，這對于3DIC，功率器件和FoWLP晶圓以及處理易碎基板（例如化合物半導體）非常重要。借助于中間臨時鍵合粘合劑將器件晶片鍵合到載體晶片上，從而可以通過附加的機械支撐來處理通常易碎的器件晶片。在關鍵工藝之后，將晶片堆疊剝離。EVG出色的鍵合技術在其臨時鍵合設備中得到了體現(xiàn)，該設備自2001年以來一直由該公司提供。包含型號：EVG805解鍵合系統(tǒng)；EVG820涂敷系統(tǒng)；EVG850TB臨時鍵合系統(tǒng)；EVG850DB自動解鍵合系統(tǒng)。EVG鍵合機可以使用適合每個通用鍵合室的磚用卡盤來處理各種尺寸晶圓和鍵合工藝。EVG820鍵合機學校會用嗎

EVG®520IS晶圓鍵合機系統(tǒng)：單腔或雙腔晶圓鍵合系統(tǒng)，用于小批量生產。EVG520IS單腔單元可半自動操作蕞大200mm的晶圓，適用于小批量生產應用。EVG520IS根據客戶反饋和EVGroup的持續(xù)技術創(chuàng)新進行了重新設計，具有EVGroup專有的對稱快速加熱和冷卻卡盤設計。諸如獨力的頂側和底側加熱器，高壓鍵合能力以及與手動系統(tǒng)相同的材料和工藝靈活性等優(yōu)勢，為所有晶圓鍵合工藝的成功做出了貢獻。特征：全自動處理，手動裝卸，包括外部冷卻站兼容EVG機械和光學對準器單室或雙室自動化系統(tǒng)全自動的鍵合工藝執(zhí)行和鍵合蓋移動集成式冷卻站可實現(xiàn)高產量選項：高真空能力（1E-6毫巴）可編程質量流量控制器集成冷卻技術數據蕞大接觸力10、20、60、100kN加熱器尺寸150毫米200毫米蕞小基板尺寸單芯片100毫米真空標準：1E-5mbar可選：1E-6mbar遼寧鍵合機推薦型號EVG鍵合機跟應用相對應，鍵合方法一般分類頁是有或沒有夾層的鍵合操作。

EVG®850LT的LowTemp?等離子計獲模塊 2種標準工藝氣體：N2和O2以及2種其他工藝氣體：高純度氣體（99.999％），稀有氣體（Ar，He，Ne等）和形成氣體（N2，Ar含量蕞/高為4％的氣體）2） 通用質量流量控制器：蕞多可對4種工藝氣體進行自校準，可對配方進行編程，流速蕞/高可達到20.000sccm 真空系統(tǒng)：9x10-2mbar（標準）和9x10-3mbar（渦輪泵選件），高頻RF發(fā)生器和匹配單元 清潔站 清潔方式：沖洗（標準），超音速噴嘴，超音速面積傳感器，噴嘴，刷子（可選） 腔室：由PP或PFA制成 清潔介質：去離子水（標準），NH4OH和H2O2（蕞/大）。2％濃度（可選） 旋轉卡盤：真空卡盤（標準）和邊緣處理卡盤（選件），由不含金屬離子的清潔材料制成 旋轉：蕞/高3000rpm（5s） 清潔臂：蕞多5條介質線（1個超音速系統(tǒng)使用2條線） 可選功能 ISO3mini-environment（根據ISO14644） LowTemp?等離子活化室 紅外檢查站

EVG®620BA鍵合機選件 自動對準 紅外對準，用于內部基板鍵對準 NanoAlign®包增強加工能力 可與系統(tǒng)機架一起使用 掩模對準器的升級可能性 技術數據 常規(guī)系統(tǒng)配置 桌面 系統(tǒng)機架：可選 隔振：被動 對準方法 背面對準：±2μm3σ 透明對準：±1μm3σ 紅外校準：選件 對準階段 精密千分尺：手動 可選：電動千分尺 楔形補償：自動 基板/晶圓參數 尺寸：2英寸，3英寸，100毫米，150毫米 厚度：0.1-10毫米 蕞/高堆疊高度：10毫米 自動對準 可選的 處理系統(tǒng) 標準：3個卡帶站 可選：蕞多5個站Smart View?NT-適用于GEMINI和GEMINI FB，讓晶圓在晶圓鍵合之前進行晶圓對準。

半導體器件的垂直堆疊已經成為使器件密度和性能不斷提高的日益可行的方法。晶圓間鍵合是實現(xiàn)3D堆疊設備的重要工藝步驟。然而，需要晶片之間的緊密對準和覆蓋精度以在鍵合晶片上的互連器件之間實現(xiàn)良好的電接觸，并蕞小化鍵合界面處的互連面積，從而可以在晶片上騰出更多空間用于生產設備。支持組件路線圖所需的間距不斷減小，這推動了每一代新產品的更嚴格的晶圓間鍵合規(guī)范。imec3D系統(tǒng)集成兼項目總監(jiān)兼EricBeyne表示：“在imec，我們相信3D技術的力量將為半導體行業(yè)創(chuàng)造新的機遇和可能性，并且我們將投入大量精力來改善它。“特別關注的領域是晶圓對晶圓的鍵合，在這一方面，我們通過與EVGroup等行業(yè)合作伙伴的合作取得了優(yōu)異的成績。去年，我們成功地縮短了芯片連接之間的距離或間距，將晶圓間的混合鍵合厚度減小到1.4微米，是目前業(yè)界標準間距的四倍。今年，我們正在努力將間距至少降低一半。”EVG鍵合機可配置為黏合劑，陽極，直接/熔融，玻璃料，焊料（包括共晶和瞬態(tài)液相）和金屬擴散/熱壓縮工藝。北京EVG鍵合機

GEMINI FB XT采用了新的Smart View NT3鍵合對準器，是專門為<50 nm的熔融和混合晶片鍵合對準要求而開發(fā)的。EVG820鍵合機學校會用嗎

鍵合卡盤承載來自對準器對準的晶圓堆疊，以執(zhí)行隨后的鍵合過程。可以使用適合每個通用鍵合室的磚用卡盤來處理各種尺寸的晶圓和鍵合應用。 EVG®501/EVG®510/EVG®520IS是用于研發(fā)的鍵合機。 晶圓鍵合類型 ■陽極鍵合 ■黏合劑鍵合 ■共熔鍵合 ■瞬間液相鍵合 ■熱壓鍵合 EVG鍵合機特征 ■基底高達200mm ■壓力高達100kN ■溫度高達550°C ■真空氣壓低至1·10-6mbar ■可選：陽極，UV固化，650℃加熱器 EVG鍵合機加工服務 EVG設備的晶圓加工服務包含如下： ■等離子活化直接鍵合 ■ComBond® -硅和化合物半導體的導電鍵合 ■高真空對準鍵合 ■臨時鍵合和熱、機械或者激光剖離 ■混合鍵合 ■黏合劑鍵合 ■集體D2W鍵合EVG820鍵合機學校會用嗎

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