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國(guó)產(chǎn)企業(yè)光刻技術(shù)已取得突破。泰晶科技從2011年開始布局光刻工藝研發(fā)，2014年組建了國(guó)內(nèi)同行業(yè)很早一家微納米晶體加工技術(shù)重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室，以激光調(diào)頻和光刻技術(shù)為基礎(chǔ)，加強(qiáng)MEMS技術(shù)在晶體諧振器產(chǎn)品的應(yīng)用。目前公司已經(jīng)取得了微型晶體諧振器生產(chǎn)的重要技術(shù)研究成果，成功使用雙面光刻工藝，將超過(guò)3000顆的“1610”型號(hào)晶體諧振器集成至3寸的WAFER片上。微電子機(jī)械系統(tǒng)（MEMS）技術(shù)的有效應(yīng)用為石英晶體的加工提供了技術(shù)借鑒和啟發(fā)。MEMS技術(shù)利用IC加工技術(shù)實(shí)現(xiàn)微納米尺度加工，在加工精度、加工手段、EDA(計(jì)算機(jī)輔助設(shè)計(jì))等方面具有先天優(yōu)勢(shì)，因此石英晶體技術(shù)與MEMS技術(shù)的結(jié)合成為必然趨勢(shì)。石英晶體振蕩器的主要參數(shù)。江西溫補(bǔ)晶振

根據(jù)草根調(diào)研及互聯(lián)網(wǎng)公開資料進(jìn)行整理，我們以單部低端3G手機(jī)的晶振需求為3顆、4G智能機(jī)晶振需求為6顆、5G手機(jī)晶振需求為8顆計(jì)算，得出2022年國(guó)內(nèi)手機(jī)廠商晶振總需求為35.2億顆，市場(chǎng)規(guī)模約23.85億元。國(guó)內(nèi)微型計(jì)算機(jī)市場(chǎng)產(chǎn)能旺盛，支撐著上游晶體諧振器產(chǎn)業(yè)發(fā)展。根據(jù)國(guó)家統(tǒng)計(jì)局?jǐn)?shù)據(jù)，2018年我國(guó)電子計(jì)算機(jī)產(chǎn)量為3.52億臺(tái)，微型計(jì)算機(jī)產(chǎn)量為3.07億臺(tái)。電子計(jì)算機(jī)繼續(xù)保持較高的出貨量，對(duì)頻率元件需求旺盛。根據(jù)公開資料及市場(chǎng)調(diào)研得知，電腦主板中包含頻率為14.318MHz的時(shí)鐘晶振和頻率為32.768KHz的實(shí)時(shí)晶振,另外顯示器、攝像頭、藍(lán)牙、無(wú)線WIFI、聲卡、硬盤、鍵盤各連接一顆高頻晶振。按照每臺(tái)計(jì)算機(jī)使用9顆石英晶體諧振器，每顆晶振平均價(jià)格為0.2元計(jì)算，微型計(jì)算機(jī)生產(chǎn)商每年總共需要約27億顆晶體諧振器，所有電子計(jì)算機(jī)廠商每年則需要約31億顆晶體諧振器，市場(chǎng)規(guī)模為6.2億元。上海晶振 好壞晶振產(chǎn)品加速升級(jí)迭代，國(guó)內(nèi)市場(chǎng)格局生變。

TCXO及TSX訂單增長(zhǎng)，國(guó)產(chǎn)替代空間巨大經(jīng)過(guò)2017-2018年晶振市場(chǎng)低迷期，部分日企整生合產(chǎn)線。有源晶振可針對(duì)晶體的頻率溫度特性做相應(yīng)的補(bǔ)償，多用于高速通信、導(dǎo)航、汽車電子等領(lǐng)域。2015年-2016年4G建設(shè)對(duì)溫補(bǔ)晶振需求旺盛，日本各廠商紛紛擴(kuò)張產(chǎn)線。而2017年后，移動(dòng)通信行業(yè)步入4G到5G過(guò)渡階段，溫補(bǔ)晶振需求疲軟，前期擴(kuò)產(chǎn)導(dǎo)致庫(kù)存積壓。日本廠商和全球代理商開始消化庫(kù)存，溫補(bǔ)晶振價(jià)格一度大幅下跌。石英晶振市場(chǎng)規(guī)模在2018年下滑10.11%，至29.4億美元。巨頭NDK公司有源業(yè)務(wù)在18及19財(cái)年連續(xù)下滑，KDS業(yè)務(wù)收入也進(jìn)入負(fù)增長(zhǎng)階段。部分小廠商關(guān)閉生產(chǎn)線進(jìn)行整合，實(shí)力較強(qiáng)的大企業(yè)則專注高附加值產(chǎn)品，市場(chǎng)集中度進(jìn)一步提升。例如，以京瓷等的部分日系晶振廠甚至剝離2520、2016尺寸溫補(bǔ)晶振產(chǎn)線，轉(zhuǎn)而主攻毛利率更高的1612尺寸產(chǎn)品。

MEMS技術(shù)用于超小型音叉晶體，使體積壓縮至原有產(chǎn)品1/10音叉諧振器包括底部和從底部延伸的兩個(gè)振動(dòng)臂，在兩個(gè)振動(dòng)臂上鍍有激勵(lì)電極（紅色部分）。該常規(guī)結(jié)構(gòu)的晶片微型化后，激勵(lì)電極面積將隨之減小，不利于起振。MEMS技術(shù)通過(guò)對(duì)振動(dòng)片進(jìn)行三維立體加工形成H型槽的構(gòu)造，既確保了電極的面積，又提高了電解效率。MEMS技術(shù)有效推動(dòng)晶體諧振器小型化發(fā)展，光刻加工下的晶振體積縮小至18.8mm3小型音叉型晶體器件，體積為原有產(chǎn)品1/10以下（3）MEMS技術(shù)用于AT型晶體/AT振蕩器，將尺寸公差保持在1um以內(nèi)利用MEMS技術(shù)的光刻加工可以提升石英晶體芯片的一致性與穩(wěn)定性，光蝕刻工藝能夠?qū)⒊叽绻畋３衷?um以內(nèi)。光刻工藝首先使用電子束真空沉積系統(tǒng)將石英晶片化學(xué)蝕刻至預(yù)定頻率，清潔并用鉻和金薄膜金屬化。石英掩模和雙對(duì)準(zhǔn)器光刻生成AT條帶圖案，其中晶片的頂部和底部表面同時(shí)對(duì)準(zhǔn)和曝光。然后通過(guò)隨后的光掩模步驟限定晶體電極和探針焊盤案。然后對(duì)晶片進(jìn)行化學(xué)金屬和石英蝕刻以形成單獨(dú)的AT條帶。然后，使用孔掩模和薄膜金屬沉積將頂部和底部安裝墊連接在一起。光刻工藝完成后，晶圓包含上百個(gè)單獨(dú)的超小型AT晶體諧振器。多重市場(chǎng)拉動(dòng)晶振需求 全球大廠加速擴(kuò)產(chǎn)應(yīng)對(duì) 國(guó)內(nèi)廠商迎訂單轉(zhuǎn)移機(jī)遇。。

在捕捉到晶體的輸出信號(hào)后，該如何測(cè)量其頻率呢？在ZLG致遠(yuǎn)電子的ZDS系列示波器中，可以選擇硬件頻率計(jì)、頻率參數(shù)測(cè)量、上升沿參數(shù)測(cè)量等方法。硬件頻率計(jì)在實(shí)現(xiàn)時(shí)，有測(cè)周期與測(cè)脈沖數(shù)的算法。這兩種不同的測(cè)試方法，是會(huì)因應(yīng)輸入信號(hào)的頻率大小而選擇的，以期待測(cè)量值更準(zhǔn)確。當(dāng)信號(hào)頻率小時(shí)，會(huì)選用測(cè)周期的方法，把信號(hào)的周期測(cè)好了，周期的倒數(shù)就是頻率，此方法誤差源在于測(cè)周期的計(jì)時(shí)時(shí)鐘的頻率；當(dāng)信號(hào)頻率大時(shí)，會(huì)選用測(cè)脈沖數(shù)的方法，在標(biāo)準(zhǔn)時(shí)間內(nèi)測(cè)出信號(hào)上升沿的個(gè)數(shù)，此方法的誤差是標(biāo)準(zhǔn)時(shí)間內(nèi)的選定問(wèn)題。在參數(shù)測(cè)量的時(shí)間參數(shù)中，有“頻率”這測(cè)試項(xiàng)。此測(cè)試項(xiàng)是求得兩上升沿之間的時(shí)間差，再求倒數(shù)得到頻率。此測(cè)試項(xiàng)的誤差在于上升沿的判定與周期計(jì)時(shí)頻率，受限于當(dāng)前采樣點(diǎn)的采樣率。全球晶振市場(chǎng)集中于日本、中國(guó)臺(tái)灣、美國(guó)以及中國(guó)大陸。湖北晶振 測(cè)試

晶體振蕩器也分為無(wú)源晶振和有源晶振兩種類型。江西溫補(bǔ)晶振

簡(jiǎn)單晶體振蕩器(XO)這是很基本的類型，其穩(wěn)定度完全由晶體諧振器本身的固有特性決定。在MHz范圍內(nèi)的較高頻率晶體由石英棒制成，其制造方式是即使環(huán)境溫度在-55℃至+125℃(-67°F至+257°F)之間變化，也可提供相對(duì)穩(wěn)定的頻率。即使在這么寬的溫度范圍內(nèi)，適當(dāng)切割的石英晶體也可實(shí)現(xiàn)±25ppm的穩(wěn)定度。與諸如隨溫度變化可達(dá)1%(10,000ppm)或更高的LC振蕩電路等其它被動(dòng)諧振器相較，晶體振蕩器的性能已大幅提升了。但對(duì)于某些應(yīng)用來(lái)說(shuō)，即使25ppm也不夠好，因此必須采用額外措施。江西溫補(bǔ)晶振

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