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在每個時間點讀點過程為：將閃存參考單元的輸出電流iref與閃存陣列單元的輸出電流i的差值經(jīng)由讀出放大器進(jìn)行比對判斷，若iref＜i，則閃存讀出“1”；若iref＞i，則閃存讀出“0”。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明具有如下有益效果：本發(fā)明所提供的閃存htol測試方法，對所述閃存參考單元循環(huán)進(jìn)行編譯和擦除，以在所述閃存參考單元中引入電子；對所述閃存進(jìn)行htol測試，所述引入電子在所述htol測試過程中存在丟失，以對htol測試過程中所述空穴的丟失形成補償。降低了閃存參考單元的輸出電流iref的偏移量，從而使閃存htol讀“0”通過，解決了閃存htol測試中讀點失效的問題，提高閃存質(zhì)量。附圖說明圖1為本發(fā)明實施例的閃存htol測試方法流程圖；圖2為本發(fā)明實施例的閃存參考單元的結(jié)構(gòu)示意圖；圖3為本發(fā)明實施例的對閃存參考單元進(jìn)行編譯示意圖；圖4為本發(fā)明實施例的對閃存參考單元進(jìn)行擦除示意圖；圖5為本發(fā)明實施例的閃存參考單元未經(jīng)過編譯和擦除直接進(jìn)行htol測試的輸出電流iref分布圖；徐匯區(qū)HTOL測試機推薦廠家上海頂策科技有限公司可靠性測試服務(wù)，涵蓋模擬，數(shù)字，混合信號，SOC，RF等各類芯片的可靠性方案設(shè)計。

本發(fā)明實施例的閃存參考單元未經(jīng)過編譯和擦除的電荷分布示意圖；發(fā)明實施例的閃存參考單元經(jīng)過編譯和擦除后的電荷分布示意圖。圖8為本發(fā)明實施例的閃存參考單元經(jīng)過編譯和擦除循環(huán)后再進(jìn)行htol測試的輸出電流iref分布圖。其中，具體標(biāo)號如下：100-襯底；101-源極；102-漏極；103-隧穿氧化層；104-浮柵；105-柵間介質(zhì)層；106-控制柵；107-側(cè)墻；具體實施方式本發(fā)明提供一種閃存htol測試方法，以下結(jié)合附圖和具體實施例作進(jìn)一步詳細(xì)說明。根據(jù)下面說明，本發(fā)明的優(yōu)點和特征將更清楚。需說明的是，附圖均采用非常簡化的形式且均使用非精細(xì)的比例，*用以方便、明晰地輔助說明本發(fā)明實施例的目的。圖1為本發(fā)明實施例的閃存htol測試方法流程圖，

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