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閃存參考單元的隧穿氧化層103中會捕獲一些主要從生產(chǎn)工藝帶來的淺能級的空穴，在浮柵里面會注入所需要的電子。編譯過程中浮柵104可以捕獲電子，擦除過程中隧穿氧化層103會捕獲空穴；在經(jīng)過多次的編譯以及擦除后，會在浮柵104中有更多的電子，隧穿氧化層103中有更多的空**7中經(jīng)編譯和擦除循環(huán)后電子空穴的凈值(差值)與未經(jīng)編譯和擦除循環(huán)的電子空穴的凈值(差值)相等，從而保證閃存參考單元編譯和擦除循環(huán)后的輸出電流與編譯和擦除循環(huán)前的輸出電流是相等的。擦除過程中隧穿氧化層捕獲的空穴為深能級的空穴，這些深能級的空穴不容易移動，而在浮柵里面捕獲的電子比較活躍，在htol測試過程中高溫下會比較容易丟失，從而補償了閃存參考單元從生產(chǎn)工藝帶來的淺能級的空穴在htol測試過程中的丟失。上海頂策科技的HTOL測試機TH801，自有發(fā)明專利的智能HTOL系統(tǒng)，自主研發(fā)在線實時單顆監(jiān)測技術(shù)。長寧區(qū)HTOL測試機設(shè)計

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發(fā)明人檢查失效的原因，發(fā)現(xiàn)讀點失效為讀“0”失效，并且進一步研究發(fā)現(xiàn)閃存參考單元的輸出電流iref在48小時的測試值iref1與在初始的測試值iref0之間有偏移，具體偏移量經(jīng)測試統(tǒng)計在4μa以內(nèi)，而且iref1＜iref0，即48小時后iref往電流變小的方向偏移。閃存測試中，若iref＞i，則讀出“0”(即閃存讀“0”操作時，iref＞i)。閃存判斷讀“0”的具體操作過程為：將閃存參考單元的輸出電流iref與閃存陣列單元的輸出電流i的差值經(jīng)由讀出放大器進行比對判斷。當差值變?nèi)醯接勺x出放大器無法進行識別時，讀“0”失效。當htol可靠性驗證經(jīng)過***時間點例如48小時后，由于閃存參考單元的輸出電流iref往電流變小的方向偏移即iref變小，如此一來，閃存參考單元的輸出電流iref與閃存陣列單元的輸出電流i的差值變小，超出讀出放大器識別范圍，于是讀“0”失效。測試發(fā)現(xiàn)經(jīng)48小時閃存參考單元的輸出電流iref往電流變小的方向偏移后，進一步做htol測試，閃存參考單元的輸出電流iref在第三時間點例如168小時,第四時間點例如500小時,第五時間點例如1000小時測試均不會進一步偏移。普陀區(qū)HTOL測試機供應(yīng)

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