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晶振與匹配電容的經(jīng)驗(yàn)總結(jié)，匹配電容-----負(fù)載電容是指晶振要正常震蕩所需要的電容。一般外接電容，是為了使晶振兩端的等效電容等于或接近負(fù)載電容。要求高的場合還要考慮ic輸入端的對地電容。一般晶振兩端所接電容是所要求的負(fù)載電容的兩倍。這樣并聯(lián)起來就接近負(fù)載電容了。2、負(fù)載電容是指在電路中跨接晶體兩端的總的外界有效電容。他是一個測試條件，也是一個使用條件。應(yīng)用時一般在給出負(fù)載電容值附近調(diào)整可以得到精確頻率。此電容的大小主要影響負(fù)載諧振頻率和等效負(fù)載諧振電阻。3、一般情況下，增大負(fù)載電容會使振蕩頻率下降，而減小負(fù)載電容會使振蕩頻率升高。全球晶振供應(yīng)緊張致進(jìn)口價大漲 國內(nèi)價格同樣漲幅較大。江蘇晶振 負(fù)載電容

輸入電壓和功率任何類型的晶振通常都可以被設(shè)計(jì)為利用系統(tǒng)中已有的DC輸入電源電壓來操作。在數(shù)字系統(tǒng)中，通常希望使用與振蕩器將驅(qū)動的系統(tǒng)中的邏輯器件所使用的電壓相匹配的電壓來驅(qū)動晶振，以便邏輯電平是直接兼容的。+3.3V或+5V是這些數(shù)字單元的典型輸入。具有較高功率輸出的其它器件可以使用較高電壓，例如+12V或+15V。另一個考慮因素是為器件供電所需的電流量。XO或TCXO可能只需要幾mA，因此在低電壓系統(tǒng)中，其功耗可以小于0.01W。另一方面，在上電時，一些OCXO可以需要5W或6W。河北2016晶振晶振市場格局：日本在先，中國追趕。

在一般情況下，晶片機(jī)械振動的振幅和交變電場的振幅非常微小，但當(dāng)外加交變電壓的頻率為某一特定值時，振幅明顯加大，比其他頻率下的振幅大得多，這種現(xiàn)象稱為壓電諧振，它與LC回路的諧振現(xiàn)象十分相似。它的諧振頻率與晶片的切割方式、幾何形狀、尺寸等有關(guān)。當(dāng)晶體不振動時，可把它看成一個平板電容器稱為靜電電容C，它的大小與晶片的幾何尺寸、電極面積有關(guān)，一般約幾個皮法到幾十皮法。當(dāng)晶體振蕩時，機(jī)械振動的慣性可用電感L來等效。一般L的值為幾十豪亨到幾百豪亨。晶片的彈性可用電容C來等效，C的值很小，一般只有0.0002～0.1皮法。晶片振動時因摩擦而造成的損耗用R來等效，它的數(shù)值約為100歐。由于晶片的等效電感很大，而C很小，R也小，因此回路的品質(zhì)因數(shù)Q很大，可達(dá)1000～10000。加上晶片本身的諧振頻率基本上只與晶片的切割方式、幾何形狀、尺寸有關(guān)，而且可以做得精確，因此利用石英諧振器組成的振蕩電路可獲得很高的頻率穩(wěn)定度。

MEMS技術(shù)用于超小型音叉晶體，使體積壓縮至原有產(chǎn)品1/10音叉諧振器包括底部和從底部延伸的兩個振動臂，在兩個振動臂上鍍有激勵電極（紅色部分）。該常規(guī)結(jié)構(gòu)的晶片微型化后，激勵電極面積將隨之減小，不利于起振。MEMS技術(shù)通過對振動片進(jìn)行三維立體加工形成H型槽的構(gòu)造，既確保了電極的面積，又提高了電解效率。MEMS技術(shù)有效推動晶體諧振器小型化發(fā)展，光刻加工下的晶振體積縮小至18.8mm3小型音叉型晶體器件，體積為原有產(chǎn)品1/10以下（3）MEMS技術(shù)用于AT型晶體/AT振蕩器，將尺寸公差保持在1um以內(nèi)利用MEMS技術(shù)的光刻加工可以提升石英晶體芯片的一致性與穩(wěn)定性，光蝕刻工藝能夠?qū)⒊叽绻畋３衷?um以內(nèi)。光刻工藝首先使用電子束真空沉積系統(tǒng)將石英晶片化學(xué)蝕刻至預(yù)定頻率，清潔并用鉻和金薄膜金屬化。石英掩模和雙對準(zhǔn)器光刻生成AT條帶圖案，其中晶片的頂部和底部表面同時對準(zhǔn)和曝光。然后通過隨后的光掩模步驟限定晶體電極和探針焊盤案。然后對晶片進(jìn)行化學(xué)金屬和石英蝕刻以形成單獨(dú)的AT條帶。然后，使用孔掩模和薄膜金屬沉積將頂部和底部安裝墊連接在一起。光刻工藝完成后，晶圓包含上百個單獨(dú)的超小型AT晶體諧振器。汽車、TWS 和 IoT需求旺 晶振景氣度持續(xù)向好。

石英晶體硬度及理化性質(zhì)穩(wěn)定，頻率基本不隨溫度變化，由此產(chǎn)生的內(nèi)部振蕩損失也很小，非常適合精密制造。同時，區(qū)別于傳統(tǒng)的機(jī)械式加工生產(chǎn)方式，改良的制程更便于批量生產(chǎn)，可以在保證小型化的同時把偏差控制在很小限度內(nèi)，從而使產(chǎn)品具備小型化、低耗電、高穩(wěn)定、高頻率的優(yōu)勢。應(yīng)用MEMS技術(shù)的微型化產(chǎn)品與傳統(tǒng)機(jī)械加工生產(chǎn)的晶振前端工藝區(qū)別為：1）微型化產(chǎn)品切割環(huán)節(jié)不是一次性切割成為單個音叉晶體單元，而是首先切割成可以分隔上千支晶片單元的大方片；2）音叉晶片及電極成型環(huán)節(jié)采用雙面光刻工藝，在WAFER片上進(jìn)行光刻、金屬蒸鍍、激光調(diào)頻等集成處理，單個音叉單元尺寸極小。TCXO 及TSX訂單增長，國產(chǎn)替代空間巨大。江蘇晶振 負(fù)載電容

晶振產(chǎn)品加速升級迭代，國內(nèi)市場格局生變。江蘇晶振 負(fù)載電容

晶振市場格局：日本領(lǐng)航，中國追趕全球石英晶體元器件廠家主要在日本、美國、中國臺灣地區(qū)及中國大陸。美國廠商主要針對美國國內(nèi)及部分專項(xiàng)市場，供求渠道較為穩(wěn)定，產(chǎn)品單位價值較高。日本是國際石英晶體諧振器傳統(tǒng)制造強(qiáng)國。隨著電子信息行業(yè)的飛速發(fā)展和智能應(yīng)用領(lǐng)域的多元化，日本廠商進(jìn)一步加大了技術(shù)及設(shè)備的升級速度，在中高應(yīng)用領(lǐng)域?qū)嵭辛伺潘缘南鄬夹g(shù)壟斷，具備較強(qiáng)的規(guī)模效應(yīng)和技術(shù)優(yōu)勢。2013年以后，日本廠商受到原材料和人力資源成本上升，以及全球范圍內(nèi)其他區(qū)域如中國臺灣、中國大陸等廠商產(chǎn)能擴(kuò)張等因素的影響，市場份額出現(xiàn)較大幅度下滑。日本廠商將中低端業(yè)務(wù)逐步轉(zhuǎn)移至中國，市場份額占比已經(jīng)由2011年的59.3%下降到50%以下。江蘇晶振 負(fù)載電容

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