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在捕捉到晶體的輸出信號(hào)后，該如何測(cè)量其頻率呢？在ZLG致遠(yuǎn)電子的ZDS系列示波器中，可以選擇硬件頻率計(jì)、頻率參數(shù)測(cè)量、上升沿參數(shù)測(cè)量等方法。硬件頻率計(jì)在實(shí)現(xiàn)時(shí)，有測(cè)周期與測(cè)脈沖數(shù)的算法。這兩種不同的測(cè)試方法，是會(huì)因應(yīng)輸入信號(hào)的頻率大小而選擇的，以期待測(cè)量值更準(zhǔn)確。當(dāng)信號(hào)頻率小時(shí)，會(huì)選用測(cè)周期的方法，把信號(hào)的周期測(cè)好了，周期的倒數(shù)就是頻率，此方法誤差源在于測(cè)周期的計(jì)時(shí)時(shí)鐘的頻率；當(dāng)信號(hào)頻率大時(shí)，會(huì)選用測(cè)脈沖數(shù)的方法，在標(biāo)準(zhǔn)時(shí)間內(nèi)測(cè)出信號(hào)上升沿的個(gè)數(shù)，此方法的誤差是標(biāo)準(zhǔn)時(shí)間內(nèi)的選定問(wèn)題。在參數(shù)測(cè)量的時(shí)間參數(shù)中，有“頻率”這測(cè)試項(xiàng)。此測(cè)試項(xiàng)是求得兩上升沿之間的時(shí)間差，再求倒數(shù)得到頻率。此測(cè)試項(xiàng)的誤差在于上升沿的判定與周期計(jì)時(shí)頻率，受限于當(dāng)前采樣點(diǎn)的采樣率。有源晶振是一個(gè)完整的諧振振蕩器。石英晶體振蕩器與石英晶體諧振器都是提供穩(wěn)定電路頻率的一種電子器件。湖北振蕩器與晶振

晶振市場(chǎng)格局：日本領(lǐng)航，中國(guó)追趕全球石英晶體元器件廠家主要在日本、美國(guó)、中國(guó)臺(tái)灣地區(qū)及中國(guó)大陸。美國(guó)廠商主要針對(duì)美國(guó)國(guó)內(nèi)及部分專項(xiàng)市場(chǎng)，供求渠道較為穩(wěn)定，產(chǎn)品單位價(jià)值較高。日本是國(guó)際石英晶體諧振器傳統(tǒng)制造強(qiáng)國(guó)。隨著電子信息行業(yè)的飛速發(fā)展和智能應(yīng)用領(lǐng)域的多元化，日本廠商進(jìn)一步加大了技術(shù)及設(shè)備的升級(jí)速度，在中高應(yīng)用領(lǐng)域?qū)嵭辛伺潘缘南鄬?duì)技術(shù)壟斷，具備較強(qiáng)的規(guī)模效應(yīng)和技術(shù)優(yōu)勢(shì)。2013年以后，日本廠商受到原材料和人力資源成本上升，以及全球范圍內(nèi)其他區(qū)域如中國(guó)臺(tái)灣、中國(guó)大陸等廠商產(chǎn)能擴(kuò)張等因素的影響，市場(chǎng)份額出現(xiàn)較大幅度下滑。日本廠商將中低端業(yè)務(wù)逐步轉(zhuǎn)移至中國(guó)，市場(chǎng)份額占比已經(jīng)由2011年的59.3%下降到50%以下。北京車規(guī)晶振我國(guó)晶振行業(yè)處于快速發(fā)展階段，未來(lái)國(guó)產(chǎn)替代化趨勢(shì)明顯。

當(dāng)晶體頻率發(fā)生頻率漂移，且超出晶體頻率偏差范圍過(guò)多時(shí)，以至于捕捉不到晶體的中心頻率，從而導(dǎo)致芯片不起振。由于芯片本身的厚度很薄，當(dāng)激勵(lì)功率過(guò)大時(shí)，會(huì)使內(nèi)部石英芯片破損，導(dǎo)致停振。在檢漏工序中，就是在酒精加壓的環(huán)境下，晶體容易產(chǎn)生碰殼現(xiàn)象，即振動(dòng)時(shí)芯片跟外殼容易相碰，從而晶體容易發(fā)生時(shí)振時(shí)不振或停振。在壓封時(shí)，晶體內(nèi)部要求抽真空充氮?dú)?，如果發(fā)生壓封不良，即晶體的密封性不好時(shí)，在酒精加壓的條件下，其表現(xiàn)為漏氣，稱之為雙漏，也會(huì)導(dǎo)致停振。

移動(dòng)終端：預(yù)計(jì)2022年國(guó)內(nèi)手機(jī)廠商對(duì)晶振需求量達(dá)35.2億顆5G帶動(dòng)新一波換機(jī)需求。IDC預(yù)測(cè)，2019年全球手機(jī)出貨量為13.7億部（2019年出貨預(yù)計(jì)同比減少2.2%），而國(guó)內(nèi)手機(jī)市場(chǎng)占據(jù)約30%的份額。根據(jù)中國(guó)信通院數(shù)據(jù)顯示，2019年國(guó)內(nèi)手機(jī)市場(chǎng)總體出貨量為3.89億部，同比下降6.2%。雖然目前國(guó)內(nèi)手機(jī)行業(yè)已呈現(xiàn)飽和狀態(tài)，但2020年5G商用將帶動(dòng)新一波換機(jī)需求，國(guó)內(nèi)智能手機(jī)市場(chǎng)有望回暖。個(gè)手機(jī)配置的晶振數(shù)量及價(jià)值不斷提升。（1）按鍵手機(jī)中石英晶振需2-3 顆，分別為32.768KHZ 圓柱直插晶振、49S晶振和一款5032（5.0*3.2mm）貼片晶振；（2）4G智能手機(jī)則需配置約5-6顆晶振，分別為時(shí)間顯示所用的為32.768KHz晶振,藍(lán)牙模塊上16MHz貼片晶振，數(shù)據(jù)傳輸所用的高頻圓柱直插晶振，NFC模塊中使用的13.56MHz貼片晶振，以及根據(jù)手機(jī)CPU運(yùn)行溫度進(jìn)行變更頻率的26MHz 溫補(bǔ)晶振等；（4）5G手機(jī)預(yù)計(jì)要配置6-10顆晶振，優(yōu)先方案為頻率為76.8MHz或者96MHz、負(fù)載電容為8-12pf的小尺寸2.0*1.6mm晶振。單個(gè)手機(jī)配置的晶振價(jià)值量不斷提升。石英晶振的大數(shù)據(jù)時(shí)代 。

在一般情況下，晶片機(jī)械振動(dòng)的振幅和交變電場(chǎng)的振幅非常微小，但當(dāng)外加交變電壓的頻率為某一特定值時(shí)，振幅明顯加大，比其他頻率下的振幅大得多，這種現(xiàn)象稱為壓電諧振，它與LC回路的諧振現(xiàn)象十分相似。它的諧振頻率與晶片的切割方式、幾何形狀、尺寸等有關(guān)。當(dāng)晶體不振動(dòng)時(shí)，可把它看成一個(gè)平板電容器稱為靜電電容C，它的大小與晶片的幾何尺寸、電極面積有關(guān)，一般約幾個(gè)皮法到幾十皮法。當(dāng)晶體振蕩時(shí)，機(jī)械振動(dòng)的慣性可用電感L來(lái)等效。一般L的值為幾十豪亨到幾百豪亨。晶片的彈性可用電容C來(lái)等效，C的值很小，一般只有0.0002～0.1皮法。晶片振動(dòng)時(shí)因摩擦而造成的損耗用R來(lái)等效，它的數(shù)值約為100歐。由于晶片的等效電感很大，而C很小，R也小，因此回路的品質(zhì)因數(shù)Q很大，可達(dá)1000～10000。加上晶片本身的諧振頻率基本上只與晶片的切割方式、幾何形狀、尺寸有關(guān)，而且可以做得精確，因此利用石英諧振器組成的振蕩電路可獲得很高的頻率穩(wěn)定度。5G帶動(dòng)晶振缺貨漲價(jià)背后，國(guó)產(chǎn)小尺寸晶振需求難解。青海晶振波形

振蕩器直接應(yīng)用于電路中，諧振器工作時(shí)一般需要提供3.3V電壓來(lái)維持工作。湖北振蕩器與晶振

恒溫控制晶體振蕩器(OCXO)對(duì)于某些應(yīng)用，TCXO的頻率-溫度穩(wěn)定度指標(biāo)仍無(wú)法滿足要求。在這些情況下，可能需要OCXO。顧名思義，具有烤腔的振蕩器將晶體加熱到更高溫度，但仍受控制，使得環(huán)境溫度即使變化大，晶體的溫度也保持穩(wěn)定。由于晶體的溫度和振蕩器的敏感部份變化很小，頻率-環(huán)境溫度穩(wěn)定度得到顯著改善。在環(huán)境溫度范圍內(nèi)，OCXO的穩(wěn)定度可以達(dá)到0.001ppm。然而，這種穩(wěn)定度的提升是以增加功耗為代價(jià)的，將熱量提供給烤腔當(dāng)然需要能量。典型的OCXO可能需要1到5W的功率以維持內(nèi)部溫度。在開(kāi)機(jī)后，還需要等待溫度和頻率穩(wěn)定的暖機(jī)時(shí)間，取決于晶體振蕩器的類型，暖機(jī)時(shí)長(zhǎng)通常從1分鐘到10多分鐘。湖北振蕩器與晶振

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