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柵極電壓（UGs）對漏極電流（ID）的控制作用稱為轉(zhuǎn)移特性，反映這兩者之間關(guān)系的曲線稱為轉(zhuǎn)移特性曲線。下圖1-60所示為N溝道結(jié)型場效應(yīng)管的轉(zhuǎn)移特性曲線。當(dāng)柵極電壓UGs取不同的電壓值時，漏極電流ID將隨之改變。當(dāng)ID=0時,UGS的值為場效應(yīng)管的夾斷電壓Uq；當(dāng)UGs=0時，ID的值為場效應(yīng)管的飽和漏極電流Idss。在Ugs一定時，反映ID與Uds之間的關(guān)系曲線為輸出特性曲線，也稱為漏極特性曲線。上圖1-61所示為N溝道結(jié)型場效應(yīng)管的輸出特性曲線。由圖可見，它分為三個區(qū)：飽和區(qū)、擊穿區(qū)和非飽和區(qū)。起放大作用時，應(yīng)工作在飽和區(qū)（這一點與前面講的普通三極管不同）。注意，此處的“飽和區(qū)”對應(yīng)普通三極管的“放大區(qū)”。深圳市盟科電子科技有限公司是在深圳做場效應(yīng)管的。東莞品質(zhì)場效應(yīng)管出廠價

場效應(yīng)管可以分成兩大類，一類是結(jié)型場效應(yīng)管（JFET），另一類是絕緣柵場效應(yīng)管（MOSFET）。絕緣柵場效應(yīng)管中文全稱是金屬-氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管，由于這種場效應(yīng)管的柵極被絕緣層隔離，所以又叫絕緣柵場效應(yīng)管，英文簡稱是MOSFET，一般也簡稱為MOS管。MOSFET的輸入電阻很高，高達109Ω以上，從導(dǎo)電溝道來分，可以分為N溝道和P溝道兩種，無論是N溝道還是P溝道，又可以分為增強型和耗盡型。N溝道的MOS管通常也簡稱為NMOS，P溝道的MOS管簡稱為PMOS。MOS管共有3個腳，柵極G，漏極D，源極S，通常情況下，MOS管的襯底是跟S極在管子內(nèi)部是連接在一起的，而且，MOS管的D極和S極之間一般會有一個寄生二極管，所以，你見到的MOS管的符號通常是畫成下面這樣的。深圳雙N場效應(yīng)管現(xiàn)貨盟科有SMD封裝形式的場效應(yīng)管。

場效應(yīng)晶體管的優(yōu)點：具有較高輸入電阻高、輸入電流低于零，幾乎不要向信號源吸取電流，在在基極注入電流的大小，直接影響集電極電流的大小，利用輸出電流控制輸出電源的半導(dǎo)體。場效應(yīng)管是電壓控制元件，而晶體管是電流控制元件。在只允許從信號源取較少電流的情況下，應(yīng)選用場效應(yīng)管；而在信號電壓較低，又允許從信號源取較多電流的條件下，應(yīng)選用晶體管。場效應(yīng)管是利用多數(shù)載流子導(dǎo)電，所以稱之為單極型器件，而晶體管是即有多數(shù)載流子，也利用少數(shù)載流子導(dǎo)電。被稱之為雙極型器件。

通常拆封后烘烤方式來去除板內(nèi)濕氣，烘烤條件為110～120℃，1h。(**長時間不要超過h)?；鸢逭婵瞻b前后之存放條件:溫度<30℃，相對濕度<60%.真空包裝后有效保存時間半年。儲存時間超過六個月時，為了避免板材儲藏濕氣造成爆板,通常拆封后用烘烤方式來去除板內(nèi)濕氣，烘烤條件為120℃，1h。(**長時間不要超過2h)。噴錫板真空包裝前后之存放條件：溫度<25℃,相對濕度<60%.真空包裝后有效保存時間一年。儲存時間超過六個月時，為了避免板材儲藏濕氣造成爆板,通常拆封后用烘烤方式來去除板內(nèi)濕氣,烘烤條件為120℃，1h。(**長時間不要超過h)。PCB污染造成虛焊及預(yù)防：PCB板在生產(chǎn)過程中，PCB收貨、存儲，SMT印刷、貼片，THT插件、波峰焊等工序，操作人員都要與PCB接觸，灰塵、油污及汗?jié)n均會污染焊盤，從而使PCB可焊性下降，造成虛焊。保持潔凈的生產(chǎn)環(huán)境，按生產(chǎn)工藝操作規(guī)程操作，是避免PCB污染的良好習(xí)慣。發(fā)現(xiàn)有污染的PCB，應(yīng)清洗除污烘干后方可使用。PCB變形造成虛焊及預(yù)防：PCB變形后，元件貼裝的共面性變差，部分元件腳與焊盤懸空（距離較小，可能不然會造成空焊），造成虛焊。特別是SMT工藝中的BGA、QFP封裝元件。形成虛焊的可能性較大。低壓mos管選擇深圳盟科電子。

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