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既然晶體兩端非常敏感，不便于接上探頭測量，那可以換一種思路，在其他地方測量該信號(hào)。某些時(shí)鐘芯片帶clockout功能，此功能是buffer晶體的信號(hào)，其管腳的輸出是有很強(qiáng)大的驅(qū)動(dòng)能力的，因此可以直接使用探頭測量。晶體發(fā)出的時(shí)鐘輸入到處理器中，可以使用計(jì)時(shí)器對此信號(hào)作分頻處理，然后將分頻后的信號(hào)輸出到管腳。這樣我們只需測量分頻后的信號(hào)，即可計(jì)算出原有時(shí)鐘的頻率。這種間接測試的方法，只能測試晶體的頻率，不能測量晶體輸出信號(hào)的幅度。若能在設(shè)備的工況范圍都測試其頻率的準(zhǔn)確性，那晶體電路的工作就是OK的。智能制造設(shè)備+國產(chǎn)晶振產(chǎn)業(yè)鏈基地”項(xiàng)目將落戶青島萊西。福建時(shí)鐘 晶振

晶振市場格局：日本領(lǐng)航，中國追趕全球石英晶體元器件廠家主要在日本、美國、中國臺(tái)灣地區(qū)及中國大陸。美國廠商主要針對美國國內(nèi)及部分專項(xiàng)市場，供求渠道較為穩(wěn)定，產(chǎn)品單位價(jià)值較高。日本是國際石英晶體諧振器傳統(tǒng)制造強(qiáng)國。隨著電子信息行業(yè)的飛速發(fā)展和智能應(yīng)用領(lǐng)域的多元化，日本廠商進(jìn)一步加大了技術(shù)及設(shè)備的升級(jí)速度，在中高應(yīng)用領(lǐng)域?qū)嵭辛伺潘缘南鄬夹g(shù)壟斷，具備較強(qiáng)的規(guī)模效應(yīng)和技術(shù)優(yōu)勢。2013年以后，日本廠商受到原材料和人力資源成本上升，以及全球范圍內(nèi)其他區(qū)域如中國臺(tái)灣、中國大陸等廠商產(chǎn)能擴(kuò)張等因素的影響，市場份額出現(xiàn)較大幅度下滑。日本廠商將中低端業(yè)務(wù)逐步轉(zhuǎn)移至中國，市場份額占比已經(jīng)由2011年的59.3%下降到50%以下。福建時(shí)鐘 晶振通用型晶振緊缺，交期延長 。

溫度補(bǔ)償晶體振蕩器(TCXO)如果固有頻率與石英晶體的溫度穩(wěn)定度無法滿足應(yīng)用要求，就可以采用溫度補(bǔ)償單元。TCXO使用溫度感測元件以及產(chǎn)生電壓曲線的電路，在整個(gè)溫度范圍內(nèi)，該電壓曲線與晶體的頻率變化趨勢完全相反，所以可理想地抵消晶體的漂移。根據(jù)TCXO的類型和溫度范圍，TCXO的典型穩(wěn)定度規(guī)范范圍為小于±0.5ppm至±5ppm。壓控晶體振蕩器(VCXO)在一些應(yīng)用中，期望能夠調(diào)諧或調(diào)整振蕩器的頻率，以便將其鎖相到鎖相環(huán)(PLL)中的參考，或可能用于調(diào)節(jié)波形。VCXO透過電子頻率控制(EFC)電壓輸入，提供了這項(xiàng)功能。對于某些特定元件，VCXO的調(diào)諧范圍規(guī)格可能在±10ppm到±100ppm(甚至更高)。

晶振與匹配電容的經(jīng)驗(yàn)總結(jié)，匹配電容-----負(fù)載電容是指晶振要正常震蕩所需要的電容。一般外接電容，是為了使晶振兩端的等效電容等于或接近負(fù)載電容。要求高的場合還要考慮ic輸入端的對地電容。一般晶振兩端所接電容是所要求的負(fù)載電容的兩倍。這樣并聯(lián)起來就接近負(fù)載電容了。2、負(fù)載電容是指在電路中跨接晶體兩端的總的外界有效電容。他是一個(gè)測試條件，也是一個(gè)使用條件。應(yīng)用時(shí)一般在給出負(fù)載電容值附近調(diào)整可以得到精確頻率。此電容的大小主要影響負(fù)載諧振頻率和等效負(fù)載諧振電阻。3、一般情況下，增大負(fù)載電容會(huì)使振蕩頻率下降，而減小負(fù)載電容會(huì)使振蕩頻率升高。晶振主要由基座、晶片、封裝材料、IC構(gòu)成。

對于時(shí)鐘晶體、時(shí)鐘電路，可以采用屏蔽措施進(jìn)行屏蔽處理。若時(shí)鐘外殼為金屬，則PCB設(shè)計(jì)時(shí)一定要在晶體下方鋪銅，并保證此部分與完整的地平面有良好的電氣連接(通過多孔接地)。5）時(shí)鐘晶體下面鋪地的好處：晶體振蕩器內(nèi)部的電路會(huì)產(chǎn)生射頻電流，如果晶體是金屬外殼封裝的，直流電源腳是直流電壓參考和晶體內(nèi)部射頻電流回路參考的依靠，通過地平面釋放外殼被射頻輻射產(chǎn)生的瞬態(tài)電流?？傊?，金屬外殼是一個(gè)單端天線，很近的映像層、地平面層有時(shí)兩層或者更多層做為射頻電流對地的輻射耦合作用是足夠的。晶體下鋪地對散熱也是有好處的。晶振的選型考量和失效分析。福建16m晶振

晶振產(chǎn)品加速升級(jí)迭代，國內(nèi)市場格局生變。福建時(shí)鐘 晶振

國產(chǎn)企業(yè)光刻技術(shù)已取得突破。泰晶科技從2011年開始布局光刻工藝研發(fā)，2014年組建了國內(nèi)同行業(yè)很早一家微納米晶體加工技術(shù)重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室，以激光調(diào)頻和光刻技術(shù)為基礎(chǔ)，加強(qiáng)MEMS技術(shù)在晶體諧振器產(chǎn)品的應(yīng)用。目前公司已經(jīng)取得了微型晶體諧振器生產(chǎn)的重要技術(shù)研究成果，成功使用雙面光刻工藝，將超過3000顆的“1610”型號(hào)晶體諧振器集成至3寸的WAFER片上。微電子機(jī)械系統(tǒng)（MEMS）技術(shù)的有效應(yīng)用為石英晶體的加工提供了技術(shù)借鑒和啟發(fā)。MEMS技術(shù)利用IC加工技術(shù)實(shí)現(xiàn)微納米尺度加工，在加工精度、加工手段、EDA(計(jì)算機(jī)輔助設(shè)計(jì))等方面具有先天優(yōu)勢，因此石英晶體技術(shù)與MEMS技術(shù)的結(jié)合成為必然趨勢。福建時(shí)鐘 晶振

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